光刻機原理

光刻機又稱掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統。其原理是在加工晶片的過程中，光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小後對映到矽片上，然後使用化學方法顯影，得到刻在矽片上的電路圖。

一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、鐳射刻蝕等工序。經過一次光刻的晶片可以繼續塗膠、曝光。越複雜的晶片，線路圖的層數越多，也需要更精密的曝光控制過程。

光刻機是晶片製造的核心裝置之一，按照用途可以分為好幾種：有用於生產晶片的光刻機；有用於封裝的光刻機；還有用於LED製造領域的投影光刻機。