ddr2和ddr3的插槽一樣嗎

品牌型號：三星記憶體條DDR2&&DDR3

ddr2和ddr3的插槽不一樣。ddr2和ddr3是兩代不同的記憶體條，DDR2和DDR3記憶體模組的插槽是不相容的，它們具有不同的物理介面。無法將DDR3記憶體模組插入DDR2插槽中，反之亦然。而且DDR3記憶體比DDR2記憶體工作時的電壓更低。DDR2記憶體通常使用1.8伏特的電壓，而DDR3記憶體通常使用1.5伏特的電壓。這種降低的電壓有助於降低功耗和熱量產生。

ddr2和ddr3的注意區別：

1、邏輯Bank數量。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。

2、封裝。由於DDR3新增了一些功能，在引腳方面會有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

3、突發長度。由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸週期(BL，Burst Length)也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。

4、定址時序。就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲(AL)的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。—寫入延遲(CWD)，這一引數將根據具體的工作頻率而定。